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DDR4 SO DIMM Sockets

DDR4 SO DIMM Sockets-CAT-D33047-SO1339
Les supports SO DIMM DDR4 sont conçus selon les normes de l’industrie JEDEC. Ils sont disponibles avec des positions de clé standard et inversées, des épaisseurs d’or GF, 5u", 10u", 15u" et 30u", des hauteurs de 4,0 mm, 5,2, 8,0 et 9,2, et un conditionnement en plateau et en bobine. Les applications des supports SO DIMM DDR4 comprennent le stockage de masse, les communications, les ordinateurs de bureau, les serveurs et le stockage.
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Caractéristiques du produit

  • Type DRAM : Petit contour (SO)

  • Hauteur de la pile (mm): 9.2, 4, 5.2, 8

  • Hauteur de la pile (in): .205, .157, .315, .362

  • Orientation du module : Angle droit

  • Nombre de positions : 260, 200

  • Axe central (pas) (mm): 5.4, 7.3, .5, 6.1, 3.3, 2.1

  • Axe central (pas) (in): .082, .129, .02

Disponible depuis

LADD Inc
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Caractéristiques du produit :

Spécifications pour DDR4 SO DIMM

  • De meilleures performances tout en consommant moins d’énergie
  • Les coûts d’exploitation du système peuvent être réduits grâce à des performances supérieures et à une consommation d’énergie moindre par prise
  • Une densité de puce et un nombre de broches plus élevés offrent des capacités DIMM plus importantes que celles des SO DIMM DDR3, transmettant davantage de signaux à la fois
  • Une des plus vastes gammes avec une variété de hauteurs et d’options de dorure
Guide de référence rapide (anglais)
Supports pour modules de mémoire

Les supports pour modules de mémoire SO DIMM DDR4 offrent des performances supérieures d’environ 30 % à celles des emplacements pour modules de mémoire SO DIMM DDR3 tout en consommant environ 70 % d’énergie en moins.

Supports DDR4

Groupe de produits

Emplacements pour modules de mémoire DDR4

Nos supports DDR4 offrent des connexions fiables aux modules de mémoire pour les serveurs, le stockage, les équipements de communication et les ordinateurs de bureau, avec un gain d’espace sur la carte de circuit imprimé pouvant atteindre 20 % par rapport aux supports DIMM DDR3.

Groupe de produits

Emplacements pour modules de mémoire DDR3

Les emplacements pour modules de mémoire DDR3 de TE permettent une interconnexion fiable des modules de mémoire lorsqu’une performance de pointe est requise.
Produits pour ordinateurs portables et appareils ultraportables

Application

Appareils ultraportables améliorés

Les appareils plus petits nécessitent des composants plus petits. Les solutions à faible épaisseur de TE libèrent plus d’espace sur un circuit imprimé tout en offrant stabilité et puissance, permettant aux plus petits ordinateurs portables d'offrir de très bonnes fonctionnalités.

Caractéristiques

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Fonctionnalités de configuration

  • Nombre de rangées  2

  • Nombre d'ergot de polarisation  1

  • Orientation du module  Angle droit

  • Nombre de positions  260, 200

Caractéristiques du corps

  • Emplacement des bornes de maintien  Les deux extrémités

  • Emplacement de l'éjecteur  Les deux extrémités

  • Type de détrompage du module  Décalage vers la gauche, Décalage vers la droite

  • Matériau du verrou  Thermoplastique haute température

  • Type d'éjecteur  Verrouillage

  • Matériau des bornes de maintien  Acier inoxydable, Alliage de cuivre

  • Profil de connecteur  Faible, Élevé

Caractéristiques du signal

  • Tension SGRAM (V) 1.2

Fixation mécanique

  • Type de montage  Montage sur carte

  • Type d'alignement de l'accouplement  Clavette inversée, Clavette standard

  • Type de retenue pour montage PCB  Cheville de soudure

  • Support de montage pour PCB  Avec

Caractéristiques de terminaison

  • Méthode de raccordement au PCB  Montage en surface

  • Type d'insertion  Cam-In

Caractéristiques du boîtier

  • Matériau du boîtier  Thermoplastique haute température

  • Couleur du boîtier  Noir

  • Axe central (pas) (mm) 5.4, 7.3, .5, 6.1, 3.3, 2.1

  • Axe central (pas) (in) .082, .129, .02

Caractéristiques du type de produit

  • Système de connecteur  Câble-à-carte

  • Se connecte à/au  Circuit imprimé

  • Type DRAM  Petit contour (SO)

Caractéristiques de l’emballage

  • Quantité par emballage  800, 900, 500

  • Type de conditionnement  Ruban et bobine

Normes de l’industrie

  • Indice d'inflammabilité UL  UL 94V-0

Fonctionnalités de contact

  • Type de support mémoire  Carte mémoire

  • Courant nominal du contact (max) (A) .5

  • Matériau de base du contact  Alliage de cuivre

  • Matériau de placage de la zone de contact PCB  Flash or

  • Matériau du contact  Nickel

  • Matériau du placage de la surface de contact  Flash or, Or

  • Épaisseur du placage de la surface de contact (µm) .381, .254, .127, .76

  • Épaisseur du placage de la surface de contact (µin) 5, 30, 10, 15

Caractéristiques électriques

  • Tension DRAM (V) 1.2

Dimensions

  • Hauteur de la pile (mm) 9.2, 4, 5.2, 8

  • Hauteur de la pile (in) .205, .157, .315, .362

  • Espacement de ligne à ligne  8.2 mm [ .322 in ]

Conditions d’utilisation

  • Plage de température de fonctionnement  -55 – 85 °C [ -67 – 185 °F ]

Fonctionnement/Application

  • Application du circuit  Puissance

Autre

  • Conformité RoHS de l'UE  Conforme

  • Conformité aux VLE de l'UE  Conforme

Numéro de référence

  • Référence interne TE CAT-D33047-SO1339

Documents associés
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