Soquetes DIMM SO DDR2

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• Número de linhas  2

• Número de chaves  1

• Número de Baías  2

• Orientação do módulo  Ângulo reto, Vertical

• Número de posições  200

• Localização do poste de retenção  Centro, Ambas as extremidades

• Localização do ejetor  Ambas as extremidades

• Tipo de chave do módulo  SGRAM, Compensação à esquerda, Compensação à direita

• Material de engate  Aço Inoxidável, Termoplástico de alta temperatura

• Tipo ejetor  Travamento, Padrão

• Material de revestimento de engate  Estanho

• Material do poste de retenção  Liga de Cobre

• Perfil do conector  Ultra alto, Baixo, Padrão, Reverso

• Tensão SGRAM (V) 2.5, 1.8

• Tipo de montagem do conector  Montagem em placa

• Tipo de alinhamento de compatibilidade  Chaveamento reverso, Chaveamento padrão

• Tipo de retenção de montagem de PCB  Pino de solda, Cauda de solda

• Retenção de montagem de PCB  Com

• Método de terminação para placa de circuito impresso  Montagem de superfície

• Estilo de inserção  Came para dentro

• Material do invólucro  LCP (Polímero de cristal líquido), Termoplástico, Termoplástico de alta temperatura

• Cor do invólucro  Cinza, Preto

• Inclinação da linha central  .6 mm [ .024 in ]

• Sistema de conectores  Cabo para Placa

• Conector e contato terminam para  Placa de circuito impresso

• Tipo de DRAM  Taxa de Dados Dupla (DDR), Taxa de Dados Dupla (DDR) 2

• Quantidade de embalagem  200, 20, 150, 24, 16

• Método de embalagem  Fita e carretel, Bandeja rígida, Caixa, Bandeja, Carretel, Conjunto de bandejas semirrígidas

• Classificação de inflamabilidade UL  UL 94V-0

• Tipo de soquete de memória  Cartão de memória

• Corrente de contato nominal (máx) (A) .5

• Material base de contato  Liga de Cobre

• Material de revestimento da área de terminação de contato PCB  Ouro flash, Ouro, Estanho

• Material de subplaca de contato  Níquel

• Material de revestimento da área compatível de contato  Ouro flash, Ouro

• Espessura do material de revestimento da área de contato compatível (µm) .254, .76

• Espessura do material de revestimento da área de contato compatível (µin) 30, 10

• Tensão DRAM (V) 2.5, 1.8

• Altura da pilha (mm) 9.2, 4, 5.2, 4.6, 8, 6.5

• Altura da pilha (in) .205, .157, .315, .362, .256, .18

• Espaçamento entre linhas (mm) 6.2, 5.6, 8.6, 5.8, 7.6

• Espaçamento entre linhas (in) .338, .244, .22, .299, .228

• Intervalo amplo de temperatura de operação  -55 – 85 °C [ -67 – 185 °F ]

• Aplicação do circuito  Energia

• Conformidade com RoHS da UE  Conforme

• Conformidade com ELV da UE  Conforme