3001351-F
Avalanche Photodiode, .2 mm² [.0003 in²] Active Area, .5 mm [.019 in] Active Area Diameter, 750 – 910 nm, Transistor Outline (TO)
3001351-F
Avalanche Photodiode, .2 mm² [.0003 in²] Active Area, .5 mm [.019 in] Active Area Diameter, 750 – 910 nm, Transistor Outline (TO)
- Núm. interno de TE: 3001351-F
- Descripción interna de TE: AD500-9 TO (TO52S1; Ubr 160-200V)
-
Rango de temperatura de funcionamiento : -40 – 100 °C [ -104 – 212 °F ]
-
Longitud de onda de funcionamiento (nm): 750 – 910
-
Área activa total : 0.2 mm² [ 0.0003 in² ]
-
Diámetro del área activa : .5 mm [ .019 in ]
-
Tipo de empaque : Contorno de transistor (TO)
Documentos
Archivos CAD
-
Descargar modelo ECAD
Descargar el Library Loader gratuito para convertir este archivo a tu herramienta ECAD. Más información sobre el modelo ECAD.
- 3D PDF 3D_CVM_CVM_3001351-F_1.pdf 3D
- Esquema del producto ENG_CVM_CVM_3001351-F_1.2d_dxf.zip Inglés
- ENG_CVM_CVM_3001351-F_1.3d_stp.zip Inglés
- ENG_CVM_CVM_3001351-F_1.3d_igs.zip Inglés
Páginas de catálogo y hojas de datos
- AD500-9_TO ENG_DS_AD500-9_TO_A.pdf Inglés
- AD500-9 TO (TO52S1; Ubr 160-200V) ENG_DS_AD500-9_TO_TO52S1_Ubr_160-200V_A.pdf Inglés
